Hersteller Samsung hat nach eigenen Angaben das erste DRAM-Modul mit 40-Nanometer-Chips von Intel zertifizieren lassen. Durch die Strukturverkleinerung kann die Versorgungsspannung weiter reduziert werden.

Laut Samsung wurden ein DRAM- und ein SO-DIMM-Modul mit je 1 GByte Speichergröße erfolgreich für Intels GM45-Chipsätze zertifiziert (PDF). Somit kann der Hersteller nun mit der Massenfertigung beginnen. Erste Speichermodule dieser Art werden für Jahresende 2009 erwartet. Auch ein 2-GByte-DDR3-Modul soll gegen Jahreswechsel erhältlich sein.

Der Vorteil der Schrumpfung liegt auf der Hand: Die Versorgungsspannung kann gesenkt werden; Samsung rechnet mit einem um 30 Prozent niedrigeren Stromverbrauch. Auch den eigenen Ausstoß an Modulen will Samsung im Idealfall um bis zu 60 Prozent erhöhen.

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