Samsung ha annunciato di aver avviato la produzione di massa di chip di memoria DRAM High Bandiwidth Memory di 2° generazione da 4GB, che saranno utilizzato per sistemi HPC (High Performance Computing), schede video high-end, reti e server enterprise.


Realizzate con un processo produttivo a 20nm, queste DRAM HBM2 da 4GB utilizzano un design GBM molto avanzato, che secondo Samsung "soddisfa le necessità a livello di prestazioni, efficienza energetica, affidabilità e dimensioni, candidandosi a soluzione ideale per sistemi HPC e schede video."

L'inizio della produzione di massa di DRAM HBM2 da 4GB arriva in seguito all'introduzione del chip RDIMM DDR4 TSV 3D da 128GB lo scorso Ottobre, e segna un momento storico per quanto riguarda la tecnologia DRAM TSV (Through Silicon Via).

Il chip HBM2 da 4GB è realizzato impilando quattro die da 8Gb su una base che funge da buffer, con un'interconnessione verticale realizzata grazie a fori TSV e protuberanze microscopiche. Un singolo die HBM2 da 8Gb contiene oltre 5000 fori TSV, una quantità 36 volte superiore rispetto a un die TSV DDR4 da 8Gb. Inoltre, la banda totale è di 256 Gbps, il doppio rispetto a un chip HBM1.

Questi nuovi chip migliorano nettamente l'efficienza energetica, raddoppiando la banda di trasferimento rispetto ai watt consumati, con funzionalità ECC integrate.

Samsung è al lavoro per produrre un chip DRAM HBM2 da 8GB durante il 2016, così da risparmiare ulterione spazio sulle schede video, nell'ordine del 95% in meno rispetto ai chip GDDR5.

Il 2016 sarà un anno molto intenso per Samsung, che intende ampliare molto la sua offerta di prodotti basati su soluzioni DRAM HBM2.




Fonte: Samsung.com.