Samsung hat nun die Massenfertigung von 4GB der zweiten Generation High Bandwidth Memory (HBM2)-DRAM begonnen. Die Zielgruppe beinhaltet High Performance Computing (HPC), fortgeschrittene Grafik- und Netzwerksysteme sowie Firmenserver.

Der neue 4GB HBM2-DRAM verwendet den 20nm-Herstellungsprozess sowie ein fortgeschrittenes GBM-Chipdesign. Dieses kann laut Samsung das Bedürfnis nach mehr Leistung, Energieeffizienz, Zuverlässigkeit und weniger Platzverbrauch erfüllen und sei gut geeignet für die nächste Generation von HPC-Systemen und Grafikkarten.

Der Beginn der Massenproduktion des 4GB HBM2-DRAM ist Samsung neue große Ankündigung in dieser Richtung nach der Veröffentlichung eines 128GB 3D TSV DDR4-RDIMM im letzten Oktober. Dies ist der neueste Meilenstein in der Silizium-Durchkontaktierungs (TSV)-DRAM-Technologie.

Das 4GB HBM2-Package entsteht durch das Stapeln von viel 8GB-Kernchips auf einem Buffer-Chip am Boden. Die einzelnen Chipebenen sind vertikal durch TSV-Löcher und Microbumps verbunden. Ein einzelner 8GB HBM2-Chip enthält über 5‘000 TSV-Löcher und damit über 36 mal mehr als ein 8GB TSV DDR4-Chip. Weiterhin bieten sie 256Gbps Bandbreite, also doppelt so viel wie ein HBM1 DRAM-Package

Zusätzlich verbessert der neue 4GB HBM2 auch die Energieeffizienz. Dies wird durch das verdoppeln der Bandbreite pro Watt im Vergleich zu 4GB GDDR5-Speicher erreicht. So wird der ECC (error-correcting code) sinnvoll eingebaut.

Samsung hat ebenfalls angekündigt, dieses Jahr noch ein 8GB HBM2 DRAM-Package veröffentlichen zu wollen. Dies sollte wichtigen Platz sparen, bei Grafikkarten über 95 Prozent im Vergleich zu GDDR5-DRAM.

Samsung plant die Produktionsmasse des HBM2-DRAM in diesem ebenso zu erweitern wie auch die Linie der HBM2 DRAM-Lösungen.



Quelle: Samsung.com.