Benchmarks für OCZ RevoDrive 400 auf CES 2016 gemessen

Bietet über 1.6GB/s sequenzielle Schreibrate

Wir haben nun erste Benchmarks der auf der CES 2016 angekündigten OCZ RevoDrive 400. Sie zeigen, dass die neue SSD über 1.6GB/s sequenzieller Schreibgeschwindigkeit leistet.

Tweaktown.com führte auf der CES 2016 Benchmarks mit der RevoDrive 400 durch. Gerüchten zufolge soll sie einen OCZ/Toshiba-eigenen Controller in Verbindung mit 15nm MLC Flash-Speicher verwenden. Wir erwarteten bereits eine eindrucksvolle Leistung dieser SSD, doch nun haben wir endliche erste Ergebnisse.

Diese Zahlen sind zwar nur von der 512GB-Version der RevoDrive 400, doch sequenzielle Lese-/Schreibraten von über 2.6GB/s und 1.6GB/s sind definitiv beeindruckend. Es scheint, dass die Samsung 950 Pro NVMe-SSD ernsthafte Konkurrenz von OCZ bekommt.

Wir kennen leider noch keine Details zum Preis, doch die RevoDrive 400 ist immernoch für das erste Quartal 2016 geplant.



Quelle: Tweaktown.com.

News by Luca Rocchi and Marc Büchel - German Translation by Paul Görnhardt - Italian Translation by Francesco Daghini


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