Anhand der Lithographie werden Schaltkreise auf Computerchips abgebildet. Um immer grössere Anzahlen an Transistoren auf einem Chip abbilden zu können, müssen die Strukturen immer kleiner werden, was schlussendlich zur Entwicklung der EUV-Lithographie (Extreme Ultra Violet) geführt hatte. Da zudem die derzeitige Belichtungstechnik ihre Grenzen in den nächsten Jahren erreicht, will Intel die EUV-Lithographie im Jahr 2009 in der Massenfertigung einsetzen.

Durch die Verwendung des EUV Micro Exposure Tool (MET) und der Pilotanlage zur Herstellung von EUV Masken und Schlatkreisen wird Intel in der Lage sein Strukturen, welche 30 Nanometer (nm) klein sind, herzustellen. Die Testproduktion dient dabei der Vorbereitung auf eine Auflösung von 15 nm, die bei Eintritt der EUV Lithographie in die Produktion benötigt wird. Als Vergleich: die kleinsten Strukturen, welche derzeit in Fertigungsanlagen von Intel hergestellt werden, haben eine Grösse von 50 nm.

Um noch kleinere Schaltkreise auf einem Chip belichten zu können muss zunehmend Licht kürzerer Wellenlänge eingesetzt werden, wobei das für die EUV-Lithographie verwendete Licht eine Wellenlänge von 13.5 nm aufweist. Derzeit eingesetzte Verfahren nutzen Licht der Wellenlänge 193 nm.