45-Nanometer-Prozess bringt Gates aus Metall statt Silizium

Die "größte Veränderung in der Transistor-Technik seit den 60er Jahren" feiert Intel mit seinem jetzt vorgestellten Verfahren für die Herstellung von Prozessoren in 45 Nanometern Strukturbreite. Neue Materialien sollen für die Core-2-Prozessoren ab Mitte 2007 größere Caches und mehr Takt bringen.

Dass Intel mit Penryn bereits Mitte 2007 von den bisher 65 Nanometern Strukturbreite der Core-2-Prozessoren zu 45 Nanometern wechseln will, hatte das Unternehmen bereits im Januar 2007 angekündigt. Noch nicht bekannt war bisher, wie Intel bei den feinen Strukturen das Problem der Leckströme - eine der Achillesfersen des Pentium 4 - und höhere Schaltgeschwindigkeiten bei weniger Spannung in den Griff bekommen will.

Die Lösung steckt in zwei Design-Neuheiten der Transistoren: So ist zum einen der eigentliche "Schalter", das Gate, nicht mehr aus Polysilizium, sondern aus einem nicht näher bezeichneten Metall. Intel will hier Schaltgeschwindigkeiten von 300 Milliarden Zustandswechseln pro Sekunde erreichen, was etwa 20 Prozent schneller als bei bisherigen CPU-Transistoren ist.