Samsung ha annunciato di aver iniziato la produzione di massa dei primi moduli di memoria RDIMM DDR4 da 128 GB TSV (Through Silicon Via), pensati per sistemi enterprise e applicazioni data center.


Già nel 2014 Samsung aveva rilasciato i primi moduli DDR4 DRAM 3D TSV da 64GB, ma adesso la compagnia ha fatto un altro passo avanti molto importante, annunciato i primi moduli di memodia dual-inline (RDIMM) TSV, disponibili con capacità di 128GB.

Dotati di un totale di 144 chip DDR4 ordinati in 36 unità DRAM da 4GB, ognuno dei quali si basa su 4 chip da 8Gb a 20nm, questi moduli DDR4 TSV DRIMM da 128GB utilizzano il nuovo sistema TSV, grazie al quale i chip dei die sono ridotti a poche dozzine di micro-metri e sono collegati verticalmente con degli elettrodi che attraversano centinaia di piccoli buchi, permettendo così un sostanziale aumento di prestazioni nella trasmissione del segnale. Questi modulo sono realizzati con un design speciale che si basa su un chip Master contenuto in ogni pacchetto da 4GB, che gestisce e ottimizza le prestazioni e i consumi energetici.

In questo modo, Samsung ha creato dei moduli di memoria a bassissimo consumo energetico per la nuova generazione di server, in grado di raggiungere i 2400 Mbps, assicurando circa il doppio delle prestazioni con la metà dei consumi rispetto ai vecchi moduli LRDIMM da 64GB.

Samsung, infine, ha confermato di voler accelerare al massimo la produzione di tecnologie TSV visto la grandissima richiesta di DRAM ad altissima capacità: è previsto quindi un ampliamento della linea di prodotti nelle prossime settimane, con l'arrivo di un modulo DIMM da 128GB in grado di offrire prestazioni di 2667 Mbps e 3200 Mbps.




Fonte: Samsung.com.