Samsung Electronics ha annunciato di aver iniziato la produzione di massa di chip di memoria DDR4 da 8 Gigabit, e di moduli da 32GB, entrambi prodotti a 20nm e pensati per l’utilizzo su sistemi server di livello aziendale.



Con la produzione di massa di DDR4 8Gb, Samsung offre finalmente un’intera linea di prodotti DRAM a 20nm, formato dai chip DDR3 4Gb a 20nm, oltre ai chip LPDDR3 6Gb a 20nm per dispositivi mobili. La produzione di chip DRAM DDR4 da 8Gb permette a Samsung di immettere sul mercato moduli di memoria dual in-line (RDIMM) con velocità di trasferimento per pin di 2400Mbps, cioè il 29% in più rispetto agli attuali moduli di memoria DDR3 1866Mbps.

Inoltre, l’introduzione dei chip di memoria DDR4 da 8Gb permette a Samsung di produrre moduli di memoria per server con una capacità massima di 128GB utilizzando la tecnologia 3D TSV. Le nuove DDR4 ad alta densità dispongono di feature per la correzione degli errori, un aspetto molto importante per il mercato enterprise, oltre a un voltaggio di 1.2V, il più basso raggiungibile al momento.




“I nostri chip DRAM DDR4 8Gb a 20nm offrono alte prestazioni, densità, e sono molto efficienti a livello energetico, per permettere la diffusione di server enterprise di nuova generazione,” ha detto Jeeho Baek, vice presidente del reparto Memory Marketing di Samsung Electronics. “Espandendo la nostra lineup di prodotti DRAM a 20nm, possiamo offrire prodotti a più alta densità, gestendo la richiesta di prodotti sempre più alta su tutto il mercato enterprise.”








Source: Samsung.com.