Beginnt mit der Massenproduktion
Samsung Electronics hat verlauten lassen, dass man mittlerweile mit der Massenproduktion von DDR4 Speicher begonnen hat. Dieser Speicher wird kompatibel zu den kommenden Intel Xeon E5-2600 v3 Prozessoren sein.
Schenkt man den Angaben des Unternehmens Beachtung, dann will man Speicherchips mit einer Speicherdichte von 4Gb herstellen, die 2133 bis 2400 Mbps Datendurchsatz erlauben. Hergestellt werden die Chips im 20nm Fertigungsprozess und das Line-up enthält DDR4 RDIMMs, LRDIMMs, und ECC SODIMMs sowie auch x4, x8 und x16 DDR4 Chips.
Zitat:
Samsung zur Folge werden DDR4 Speichermodule global mit zwischen 8 und 64 Gigabyte Kapazität verfügbar sein und die Taktraten sollen bei 2133 bis 2400 MHz liegen.
Quelle: Samsung.com.
Schenkt man den Angaben des Unternehmens Beachtung, dann will man Speicherchips mit einer Speicherdichte von 4Gb herstellen, die 2133 bis 2400 Mbps Datendurchsatz erlauben. Hergestellt werden die Chips im 20nm Fertigungsprozess und das Line-up enthält DDR4 RDIMMs, LRDIMMs, und ECC SODIMMs sowie auch x4, x8 und x16 DDR4 Chips.
Zitat:
"At Samsung, we are taking the lead in readying the DDR4 market to coincide with the introduction of the next-generation Intel Xeon processor E5-2600 v3 product family, and plan to contribute to creating a bigger market for DRAM in the second half of 2014," sagt Jim Elliott, Corporate Vice President, Memory Marketing bei Samsung Semiconductor, Inc. "We will continue to introduce high-density DDR4 modules for global OEMs that will facilitate the launch of next-generation enterprise servers and will maximize IT investment efficiency."
Samsung zur Folge werden DDR4 Speichermodule global mit zwischen 8 und 64 Gigabyte Kapazität verfügbar sein und die Taktraten sollen bei 2133 bis 2400 MHz liegen.
Quelle: Samsung.com.
News by Luca Rocchi and Marc Büchel - German Translation by Paul Görnhardt - Italian Translation by Francesco Daghini
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