SK Hynix hat bekannt gegeben, dass man als erster Speicherhersteller über haupt DDR4 Module assembliert hat, die über eine Speicherkapazität von 128 Gigabyte verfügen. Dabei kommen Speicherchips zum Einsatz, die über 20nm Strukturen verfügen.


Dank der Throug Silicon Via (TSV) Technologie war es SK Hynix möglich eine Speicherdichte von 64 Gigabit pro DDR4 Speicherchip zu erreichen. Insgesamt lassen sich anschliessend Speichermodule fertigen, die 128 Gigabyte fassen und ihren Dienst bei 2133 MHz verrichten. Hinsichtlich der Betriebsspannung findet man in den Spezifikationen 1.2 Volt. Somit ist es deutlich weniger als die 1.35 Volt, die derzeit bei DDR3 Speicher anliegen.
Zitat:

Die von SK Hynix entwickelten Module sollen in erster Linie in Kombination mit kommenden Intel Xeon E5 "Haswell" Prozessoren zum Einsatz kommen. Zu Marktstart will der Hersteller Module mit 64 Gigabyte sowie 128 Gigabyte bereit halten.



Quelle: SKHynix.com.