Samsung hat bekannt gegeben, dass man damit begonnen hat die ersten 8Gb, LPDDR4 Speicherchips mit 20 Nanometer breiten Strukturen herzustellen. Mit diesem Fertigungsprozess verfügt Samsung über die Möglichkeit bis zu 1GB auf einen einzelnen Die zu packen.

Bei den neuen 8Gb LPDDR4 Chips handelt es sich um diejenigen DRAM Bausteine, die derzeit über die höchste Speicherdichte verfügen. Verbaut man vier dieser Chips, dann erreicht man bereits eine Gesamtkapazität von 4 Gigabyte. Durch die Verwendung von Samsungs Low Voltage Swing Terminated Logic (LVSTL) I/O Interface, will der Hersteller in der Lage sein 3200Mbps Transferrate zu ermöglichen. Damit wäre LPDDR4 in der Lage doppelt so viel Bandbreite zur Verfügung zu stellen, wie das bei LPDDR3 der Fall ist. Darüber hinaus werden die neuen Chips bei lediglich 1.1 Volt betrieben wodurch der Stromverbrauch um 40 Prozent sinkt.

Die neuen LPDDR4 Speicherchips werden als erstes wohl in Smartphones oder Tablets mit UHD Auflösung Platz finden. Möglicherweise werden die Chips auch in Netzwerksystem verbaut.



Quelle: SamsungTomorrow.com.