Vor ein paar Tagen hat RAMBUS erste Details zu den frühen DDR5- und HBM3-Spezifikationen genannt. Falls Ihr Euren PC vor kurzem erst mit neuem DDR4-RAM ausgestattet habt, braucht Ihr Euch allerdings keine Sorgen zu machen. Es werden voraussichtlich noch einige Jahre ins Land ziehen, bis solche Module marktreif sind. Allerdings lässt sich an den frühen Spezifikationen schon ablesen, dass sich sowohl Leistung als auch Effizienz deutlich steigern werden.




Einem Bericht von Computerbase zufolge ist die Entwicklung von DDR5-Arbeitsspeicher und HBM3 bereits in vollem Gange. Die nächste Generation an High Bandwidth Memory (HBM) soll beispielsweise die Datenübertragungsraten auf bis zu 4 GT/s anheben. Im Vergleich zu den aktuellen 2 GT/s des HBM2 stellt das einen deutlichen Fortschritt dar. HBM3 wird im 7nm-Knoten entstehen und dementsprechend noch viele Jahre brauchen, bis es in die Massenproduktion übergeht. Die derzeit aktuellen HBM2-Chips entstehen im 14nm-Knoten.

DDR5-Speicher soll im Entwicklungsprozess schon deutlich fortgeschrittener sein, allerdings zielen die Ingenieure hier auf den 7nm-Knoten ab. Zurzeit befinden wir uns im 10nm-Zeitalter, sodass noch einige Jahre vergehen werden, bis die Hersteller für den nächsten Knotensprung bereit sind. Aktuellen Gerüchten zufolge böte DDR5 dann bis zu 6‘400Mbps Bandbreite und damit doppelt so viel wie DDR4.





Quelle: ComputerBase