Samsung hat die Massenproduktion der ersten Through Silicon Via (TSV) 128GB DDR4 RDIMM Module für die Anwendung im Enterprise- und Data-Center-Bereich angekündigt.

Erste 3D TSV 64GB DDR4 DRAM Module gab es von Samsung zwar bereits 2014 zu sehen, nun allerdings hat das Unternehmen einen neuen Durchbruch in der DDR4-Speicher-Technologie mit den ersten TSV Registered Dual Inline Memory Modulen (RDIMM) geschafft, die mit einer Kapazität von 128GB angeboten werden.

Für die neuen Module kommen insgesamt 144 DDR4-Chips in 36 4GB-DRAM-Packages jeweils mit vier 20nm 8Gb Chips zum Einsatz. Außerdem wird für die 128GB TSV DDR4 RDIMM Modules auf das neue TSV Packaging gesetzt, welches die Chip-Dies in ihrer Größe auf ein paar Micrometer schrumpft und vertikal durch Elektroden verbindet, die durch Hunderte kleiner Löcher geschickt werden. Diese Technologie soll unter anderem einen signifikanten Zuwachs in der Signalübertragung ermöglichen.

Für die neuen Module kommt außerdem ein spezielles Design zum Einsatz, welches die Data-Buffer-Funktion im Master-Chip eines jeden 4GB-Paketes einbettet um Performance und Stromverbrauch optimieren zu können.

Alles in allen kann Samsung somit eine Low-Power-Lösung für Next-Generation-Server mit Geschwindigkeiten von bis zu 2.400Mbps erreichen. Dies entspricht nicht nur etwa der doppelten Power sondern dabei auch nur etwa der Hälfte des Stromverbrauchs der früheren 64GB LRDIMMs.

Samsung sprach bereits über Pläne die Produktion der TSV Technologie beschleunigen zu wollen, da die Nachfrage für derartigen Ultra-High-Capacity-DRAM stetig wächst. Weitere TSV DRAM Modules sollen in den nächsten Wochen folgen. Die Rede ist unter anderem von 128GB Load Reduced DIMMs (LRDIMMs) und TSV Modulen mit höherer Performance von 2.667Mbps und 3.200Mbps.



Quelle: Samsung.com.