Toshiba hat die nächste Generation des BiCS-Flash-Speichers vorgestellt. Dabei handelt es sich um 3D Stacked Cell Structure Flash Memory mit 256Gb 48-Layer NAND auf Basis der 3D TLC Technologie.

Nach Angaben von Toshiba basiert der neue BiCS Flash auf einem neuen 48-Layer Stacking Process, der die Kapazität des aktuellen 2D-NAND-Flash-Speichers zusammen mit der Write/Erase Reliability Endurance und Write Performance anheben wird. Der neue 256Gb (32GB) Chip wird für die unterschiedlichsten Einsatzgebiete bestens geeignet sein. Die Rede ist derzeit unter anderem von Consumer-SSDs, Smartphones, Tablets, Speicher-Karten und auch Enterprise-SSDs.

Der neue 256Gb 48-Layer BiCS Flash 3D TLC NAND Chip wird derzeit für die Massenproduktion in einer neuen Fab2 vorbereitet, welche noch in der ersten Hälfte des nächsten Jahres fertiggestellt werden soll. Sample-Shipments werden noch für September 2015 erwartet.



Quelle: Toshiba.com.