Während die zuletzt geleakte Intel Roadmap viele Details hinsichtlich Intels kommender 5th Generation Core Broadwell als auch der 6th Generation Core Skylake Chips bekanntgab, gab es in diesem Rahmen auch einige neue Details zur neuen HEDT Broadwell-E Platform des Herstellers.

Wie wir bereits berichten konnten, handelt es sich bei Intels 14nm-Broadwell-Chips im Wesentlichen um Optical Shrinks von Haswell, die bereits in Q2 dieses Jahres bereits sein und in Q3 um das Skylake-Lineup bereichert werden sollen. Gleichzeitig wurde allerdings auch bekannt, dass Intels neue High-End-Desktop (HEDT) Broadwell-E Platform als Nachfolger für die jetzigen Haswell-E-Chips in Q1 2016 folgen wird.

Früheren Berichten zufolge wird Broadwell-E Octa- und Hexa-Core-Optionen umfassen und bis zu 20MB Intel Smart Cache, Intel Hyper-Threading Support, bis zu 40 PCIe 3.0 Lanes (2x16+1x8) sowie Integrated Quad-Core DDR4-2000 Memory Support mit sich bringen. Zudem wurde darauf hingewiesen, dass die TDP der Intel Broadwell-E Chips bei 140W liegen wird, was angesichts des 14nm-Herstellungsprozess doch recht verwunderlich ist.

Intels Broadwell-E wird genau wie das aktuelle Haswell-E-Lineup auf den X99-Chipsatz setzen.





Quelle: PCOnline.com.cn.