Samsung Electronics hat bekannt gegeben, dass das Unternehmen mit der Produktion von 8Gbit-DDR4-Speicherchips begonnen hat. Basierend auf diesen ICs ist der Hersteller in der Lage Module mit 32 Gigabyte Kapazität zu fertigen. Zudem soll die Chips über 20-Nanometer-Strukturen verfügen.


Mit der Massenproduktion von 8Gb-DDR4-Chips verfügt Samsung nun über ein vollständiges Lineup hinsichtlich 20nm-DRAM. Seit einiger Zeit hat der Elektronikgigant 20nm 4Gb DDR3 und 20nm 6Gb LPDDR3 Chips im Programm. Dank der Massenproduktion lassen sich nun 32GB-Speichersticks produzieren, bei denen beidseitig Chips nebeneinander angebracht werden (RDIMM). Fürht man sich die weiteren Spezifikationen zu Gemüte, dann findet man eine Durchsatzrate von 2400Mbps.

Die Einführung von 8Gb-DDR4-Speicherchips erlaubt es Samsung im Serverumfeld Speichermodule mit bis zu 128 Gigabyte Kapazität zu produzieren. Zu diesem Zweck kommt die 3D-TSV-Technologie (Through Silicon Via) zum Einsatz. Darüber hinaus verfügen die neuen DDR4 chips mit hoher Speicherdichte über eine weiter verbesserte Fehlerkorrektur sowie die für DDR4 übliche Betriebsspannung von 1.2 Volt.








Quelle: Samsung.com.