Samsung hat mit der Massenproduktion von 64GB DDR4 ECC Speicher begonnen, wobei es sich um RDIMM Module handelt, bei denen die 3D "Through Silicon via" (TSV) Technologie zum Einsatz kommt.


Auf den neuen RDIMM DDR4 DRAM Modulen werden insgesamt 36 DDR4 Speicherchips zum Einsatz kommen, die alle über eine Kapazität von 4Gb pro Die verfügen. Samsung setzt bei diesen Modulen auf den 20-Nanometer-Fertigungsprozess sowie 3D TSV Package Technologie. Der Hersteller verspricht darüber hinaus gegenüber dem Standard-Packaging verdoppelte Leistung bei halbiertem Stromverbrauch.

Darüber hinaus liess Samsung verlauten, dass man in Zukunft bis zu vier DDR4 Dies übereinander stapeln will. Auch in diesem Fall wird wiederum auf die 3D TSV Technologie gesetzt, wodurch sich letztlich DRAM Module mit deutlich höheren Kapazitäten realisieren lassen.

Schenkt man einem aktuellen Bericht von Gartner Beachtung, dann sorgt der weltweite Markt für DRAM Module derzeit für ein Umsatzvolumen von 38.6 Milliarden US-Dollar. Auf den Speicher für Server entfallen 20 Prozent des Gesamtumsatzes. Samsung will mit der neuen 3D TSV Technologie eine bestmögliche Ausgangslage sicherstellen, sodass man der Konkurrenz im besten Fall einen Schritt voraus ist.



Quelle: Samsung.com.