Low-Power-DDR3-SO-DIMM-Module
Super Talent hat das eigene DDR3-Speicher-Line-Up um neue Low-Power-Module für die Verwendung mit Notebooks auf Basis von Samsungs ICs erweitert.
Die neuen Super-Talent-Module W160SB4GSL und W160SB8GSL benötigen eine Spannung von 1,35V um mit 1.600MHz zu arbeiten. Die Ausführung unterscheidet sich in der Kapazität. So bietet die Variante W160SB4GSL 4GB dank 2Gb-DRAMs, während sich hinter dem W160SB8GSL 8GB-SO-DIMM-Module mit 4-Gb-Chips verstecken. Bei der angesprochenen Frequenz von 1.600MHz arbeitet der Speicher mit einer CL11-Latenz.
Leider werden diese Module nicht auf den Retail-Markt kommen, sondern einzig in kommenden Note- und Ultrabooks ihr Werk verrichten.
Quelle: Supertalent.com.
Die neuen Super-Talent-Module W160SB4GSL und W160SB8GSL benötigen eine Spannung von 1,35V um mit 1.600MHz zu arbeiten. Die Ausführung unterscheidet sich in der Kapazität. So bietet die Variante W160SB4GSL 4GB dank 2Gb-DRAMs, während sich hinter dem W160SB8GSL 8GB-SO-DIMM-Module mit 4-Gb-Chips verstecken. Bei der angesprochenen Frequenz von 1.600MHz arbeitet der Speicher mit einer CL11-Latenz.
Leider werden diese Module nicht auf den Retail-Markt kommen, sondern einzig in kommenden Note- und Ultrabooks ihr Werk verrichten.
Quelle: Supertalent.com.
News by Luca Rocchi and Marc Büchel - German Translation by Paul Görnhardt - Italian Translation by Francesco Daghini
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