Samsung a annoncé qu'il a mis au point la première DRAM mobile LPDDR4 8 Gb (gigabits) construite sur un processus de fabrication 20nm et offrant 1 Go sur une seule puce. Destinée aux Smartphones UHD, aux tablettes et au ordinateurs portables ultra-slim, la nouvelle 8 Gb LPDDR4 fournira un gain de performances décent par rapport aux LPDDR3 DRAM 20nm actuellement disponibles.

La nouvelle 8 Gb LPDDR4 est aujourd'hui la plus grande densité disponible pour les composants DRAM et avec quatre de ces puces vous pouvez avoir un seul paquet 4 Go LPDDR4. Utilisant l'interface Low Voltage Swing Terminated Logic (LVSTL) I/O de Samsung, le taux de transfert par broche devrait s'élever à 3'200 Mbps, ce qui est en réalité le double de la LPDDR3 DRAM 20nm qui est actuellement produite en masse. Selon Samsung, la nouvelle interface LPDDR4 fournira une performance globale 50% supérieure que le modèle LPDDR3 le plus rapide ou que la mémoire DDR3 tout en consommant 40% de moins d'énergie à 1.1 volts.

La nouvelle LPDDR4 8 Gb est destinée principalement aux Smartphones UHD avec un large écran, aux tablettes et même aux ordinateurs portables ultra-slim ainsi qu'aux systèmes de réseau performant. En novembre dernier, Samsung commençait à offrir ses packs mémoire plus mince et plus petit 3 Go LPDDR3 (6Gb) alors que les nouvelles 8 Gb LPDDR4 sont prévues pour 2014.




Source: SamsungTomorrow.com.