Samsung annonce la production de puces DDR4 en 20nm

8Gb DDR4 sur des modules de 32Go

Samsung Electronics vient d'annoncer avoir passé en production de masse ses puces de 8Gb (Gigabit) de mémoire DDR4 et ses modules 32Go, tous deux conçus sur un nouveau procédé de gravure en 20nm et ciblant le marché des serveurs d'entreprise.


Avec la production à grande échelle de puces de 8Gb de DDR4, Samsung peut maintenant proposer une gamme complète de DRAM en 20nm, qui comprenait jusque là des DDR3 4Gb en 20nm et des 6Gb LPDDR3 en 20nm pour appareils mobiles. Cela permet à la firme de produire des modules de 32Go RDIMM offrant des taux de transfert de 2400Mbps, 29% de gain comparé aux 1866Mbps des modules DDR3 pour serveurs.

L'introduction de ces puces mémoire 8Go DDR4 permet à Samsung de créer des modules pour serveur avec une capacité de 128Go en utilisant la technologie 3D TSV (Through Silicon Via). Ces nouvelles DDR4 haute densité comprennent aussi une fonctionnalité de correction d'erreurs, chose importante sur le marché des entreprises, tout en n'utilisant que 1,2V, ce qui est le minimum possible.









Source: Samsung.com.


News by Luca Rocchi and Marc Büchel - German Translation by Paul Görnhardt - Italian Translation by Francesco Daghini


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