Samsung commence la production massive de DDR4 TSV 3D

RDIMM TSV 3D en 20nm

Samsung vient d'annoncer le passage en production de masse des premiers modules RDIMM (Registered Dual Inline Memory Modules) DDR4 de 64Go, a structure tridimensionnelle et technologie TSV (Throug Silicon Via), pour le marché des serveurs d'entreprise, des applications distantes et les data centers.


Ces nouveaux modules RDIMM ont 36 puces de DRAM DDR4, chacun avec quatre dies de 4Go de DRAM DDR4. Comme dit précédemment, ces puces basse tension sont conçues avec les technologies 20nm de Samsung et 3D TSV. Ainsi, ces nouveaux modules 64Go TSV offrent le double de performances des modules classique, tout en utilisant moitié moins d'énergie.

Samsung a aussi noté que dans le futur, la firme croit être capable de placer plus de quatre dies de DDR4 en utilisant la technologie 3D TSV ce qui permettra d'avoir des modules de DDR4 de plus grande densité.

D'après un rapport de chez Gartner, le marché global de la DRAM devrait atteindre $38,6 milliards et 29,8 milliards d'unités d'ici la fin de l'année, alors que le marché de la mémoire pour serveur devrait compter pour plus de 20% de la production de DRAM.



Source: Samsung.com.


News by Luca Rocchi and Marc Büchel - German Translation by Paul Görnhardt - Italian Translation by Francesco Daghini


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