Samsung ha annunciato di aver iniziato la produzione in volumi di memorie flash V-NAND 3D, le prime sul mercato, utilizzando celle verticali a 32 strati. Le nuove V-NAND sono un grosso passo avanti rispetto ai vecchi modelli a 24 strati, e offrono un'efficienza di produzione molto più alta.


Le nuove V-NAND 3D a 32 strati dovrebbero assicurare all'incirca il doppio della resistenza quando si tratta di scrittura dati, consumando il 20% in meno rispetto a MLC NAND 2D, secondo Samsung. Oltre alla produzione in massa di queste nuove memorie, Samsung ha lanciato una linea di SSD di alta fascia, con memorie V-NAND di seconda generazione, in tagli da 128, 256, 512GB e 1TB. Sfortunatamente non ci sono dettagli su questi dischi, ma Samsung ha intenzione di coprire tutte le fasce del mercato PC grazie a questi nuovi dischi.

Nei prossimi mesi Samsung dovrebbe lanciare i primi SSD basati su memorie V-NAND 3D, molto simili a quelli lanciati adesso, ma con affidabilità e densità migliorate.

Secondo una ricerca di Gartner, il mercato globale delle memorie dovrebbe crescere da 75.5 miliardi di dollari, a 79.7 miliardi entro il 2017, notizia più che positiva per Samsung.


Source: Samsung.com.