Durante l'evento Flash Memory Summit 2013, tenutosi a Santa Clara, in California, Samsung ha svelato il primo SSD enterprise basato su memorie V-NAND 3D. Pensato per data center e server enterprise, i nuovi SSD V-NAND offrono significativi miglioramenti nelle velocità di scrittura random e sequenziale, oltre che un enorme miglioramento del processo produttivo.


I nuovi SSD V-NAND svelati da Samsung saranno disponibili in due versioni, da 480 e da 960 GB di memoria. Non sono ancora stati rivelate le performance, ma ci possiamo aspettare un miglioramento nell'ordine del 20% per quanto riguarda le performance, e del 40% per i consumi di energia. Con questa nuova tecnologia Samsung è riuscita ad aggirare i problemi verso i quali si incorre quando si prova ad andare oltre i 10 nm.

Il modello da 960 GB sarà quello più prestazionale, aumentando le prestazioni del 20% in scrittura random e sequenziale, utilizzando 64 die di chip MLC 3D V-NAND, ognuno dei quali offre 128 Gb (gigabits) di memoria, e un'interfaccia SATA 6Gbps. Samsung ha comunicato che il nuovo SSD potrà arrivare fino a 35.000 cicli di utilizzo, e sarà disponibile nel formato da 2.5” con spesso di 7 mm.

Secondo Samsung, questa nuova tecnologia porta miglioramenti due maggiori rispetto alle memorie flash NAND a 20 nm, utilizzando una struttura delle celle a cilindro, denominata 3D Charge Trap Flash, e grazie alle interconnessioni verticali che collegano i 24 strati che contengono le celle 3D. Samsung è molto fiduciosa nei confronti di questa nuova tecnologia, e l'ha paragonata ad un “Digital Big Bang” per l'industria IT.

Samsung ha comunicato di aver iniziato la produzione di SSD V-NAND nel mese di Agosto, e che continuerà a produrre nuovi modelli, anche per andare incontro alle varie esigenze delle diverse fasce di mercato, quindi è lecito aspettarsi delle versioni di questi SSD per il mercato consumer.




Source: Samsung.com.