Halbleiterhersteller IBM, AMD, Henry Richard's Freescale, Infineon, Samsung und Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd spannen zusammen um in der zweiten Hälfte des nächsten Jahres ihre Produktion auf 32 Nanometer umstellen zu können.

Angeführt von IBM sollen 32 Nanometer kleine "high k/metal gate" Transistoren entwickelt werden, die in der zweiten Hälfte 2009 einsatzbereit sein sollen.

Anhand des "high-k gate-first" Ansatzes war es der Allianz rund um IBM möglich SRAM (Static Random Access Memory) mit 32 Nanometer breiten Strukturen herzustellen. Die Zellgrösse soll dabei 0.15um2 betragen wobei Intels Angaben bezüglich Zellgrösse 0.182um2 betragen.

Vom 32 Nanometer Prozess verspricht man sich Energieeinsparungen sowie eine Skalierbarkeit der Taktrate um gute 30 Prozent.