Samsung ha annunciato di aver iniziato la produzione di massa del primo chip Vertical NAND (V-NAND) 3D da 256 Gigabit; questo chip si basa su 48 strati di chip MLC a 3 bit (Multi Level Cell), ed è pensato per essere utilizzato all'interno di SSD.


Questo nuovo chip V-NAND 3D di Samsung raddoppierà la densità rispetto al modello disponibile in precedenza, da 128 Gb, permettendo la produzione di sistemi di memoria da 32 GB (256 Gb) su un unico die, andando a raddoppiare la capacità degli attuali SSD Samsung.

La seconda generazione di memorie V-NAND a 32 strati era stata presentata ad Agosto dello scorso anno, e questa terza generazione dovrebbe assicurare a Samsung un enorme successo sul mercato delle memorie 3D.

Questa generazione di chip V-NAND utilizzerà la stessa struttura 3D Charge Trap Flash, dove le celle sono impilate verticalmente in 48 strati, e connesse tra loro con circa 1.8 miliardi di canali verticali, per un totale di circa 85 miliardi di celle in ogni chip. Ogni cella può salvare 3 bit di dati, per un totale di 256 miliardi di bit, o 256Gb.

Secondo Samsung, questi nuovi chip offriranno anche una riduzione dei consumi energetici nell'ordine del 30% rispetto ai chip utilizzati attualmente, e dovrebbero offrire anche un aumento di produttività di circa il 40%.

Samsung ha affermato di voler aumentare le vendite degli SSD ad alta densità per i mercati enterprise e data center, anche grazie alle interfacce SAS e PCIe NVMe, e che questi nuovi chip permetteranno di accellerare la crescita del mercato verso gli SSD da 1TB o più di memoria.




Source: Samsung.com.