Durante la presentazione speciale di oggi, Intel e Micron hanno annunciato una nuova tecnologia di memoria chiamata 3D XPoint. Definitva come la prima nuova tecnologia di memoria dal 1989 – anno in cui sono uscite le memorie NAND -, questa nuova tecnologia promette prestazioni da capogiro, e densità molto più alte rispetto ai chip NAND.


Conosciute come memorie "3D cross-point" (3D Xpoint), questa nuova tecnologia è stata descritta da Rob Cooke, vice presidente di Intel, e da Rob Adams, presidente di Micron, come una novità che porterà memorie ad alte prestazioni e densità, con velocità di trasferimento migliaia di volte più veloci e con chip molto più duraturi rispetto alle attuali memorie flash.

Rispetto ai chip DRAM, i chip 3D Xpoint sono 8/10 volte più densi, infatti il primo pacchetto di memoria 3D Xpoint dispone di 128Gb per chip, con la possibilità di aumentare ancora la densità impilando i chip uno sull'altro. Si tratta di un procedimento molto simile a quello delle High Bandwidth Memory di Hynix, ma diverso per quanto riguarda le applicazioni.

Ciò che rende speciale le memorie 3D Xpoint è il fatto di non essere volatili, per cui non c'è perdita di dati in caso di mancanza improvvisa di alimentazione, rendendole così adatte a storage permanenti. Pur non essendo veloci quanto le memorie DRAM, offrono prestazioni molto più alte degli attuali chip NAND flash. Intel e Micron hanno descritto la tecnologia come una mezza via tra DRAM e NAND.



Il design delle memorie 3D Xpoint si basa su una pila di chip messi uno sull'altro e collegati tra loro con una Cross Point Array Structure, che permette di avere alte prestazioni e densità. Le celle di memoria possono essere lette e scritte semplicemente cambiando il voltaggio inviato ad ogni selettore, mentre la tecnologia Fast Switching Cell permette alle celle di cambiare la propria modalità di utilizzo ad una velocità mai vista prima, almeno nel campo delle memorie non volatili.

Sia Intel che Micron hanno promesso un enorme avanzamento nella tecnologia di storage, e le memorie 3D Xpoint da 128Gb / 16GB dovrebbero essere un buon punto di inizio. I primi sample dovrebbero essere già pronti entro la fine del 2015.






Source: Intel.com.