Samsung annuncia nuove memorie flash da 128GB 3-bit NAND

Basate sulla tecnologia Embedded MultiMediaCard 5.0

Samsung Electronics ha annunciato un'importante passo avanti nel campo delle memorie mobile ad alte prestazioni per lo storage, le nuove memorie NAND 128GB a 3-bit basate su tecnologia eMMC 5.0, progettate per il mercato tablet e smartphone.


Gli smartphone top di gamma sono già disponibili in versioni da 128GB di memoria grazie agli standard Universal Flash Storage 2.0 o Embedded MultiMediaCard 5.1, mentre i telefoni di fascia media finora erano tagliati fuori. Grazie ai nuovi chip Samsung eMMC 5.0 da 128GB, sarà possibile vedere anche smartphone di fascia media con 128GB di memoria.

Con una velocità di lettura sequenziale di 260MB/s, molto simile a quella che si raggiunge con memorie MLC NAND eMMC 5.1, i nuovi chip eMMC 5.0 di Samsung sono in grado di raggiungere i 6000 IOPS in lettura random, e i 5000 IOPS in scrittura random, sufficienti per la riproduzione di video in alta definizione e multitasking, secondo Samsung. Con dati di questo tipo, le nuove memorie Samsung sembrano destinate a imporsi sul mercato molto velocemente, se si considera che risultano circa 10 volte più veloci delle memory card esterne utilizzate da molti utenti.

Samsung sta continuando ad espandere il proprio business delle memorie NAND a 3-bit, utilizzate per SSD progettati per data center, server e PC, ma anche per il mercato mobile e molto altro ancora, e non abbiamo dubbi che in futuro proporrà nuove soluzioni con densità e prestazioni maggiori.






Source: Samsung.com.


News by Luca Rocchi and Marc Büchel - German Translation by Paul Görnhardt - Italian Translation by Francesco Daghini


Previous article - Next article
comments powered by Disqus
Samsung annuncia nuove memorie flash da 128GB 3-bit NAND - Samsung - News - ocaholic