Pur sapendo già che il disco si sarebbe basato su memorie flash TLC V-NAND 3D (tre bit per cella), Samsung ha tenuto la notizia più importante per il Flash Memory Summit, tenutosi questa settimana, durante il quale ha svelato altri dettagli riguardanti le nuove memorie.



Secondo le slide avvistate da PC Perspective, le memorie TLC V-NAND 3D hanno la stessa struttura a 32 strati delle memorie V-NAND MLC classiche, ma con un bit extra in ogni cella, il che rende il Samsung 850 Pro così particolare. Le slide purtroppo non rivelano dettagli importanti come la densità, le prestazioni e la resistenza, ma abbiamo alcune informazioni sulle latenze, sulla gestione dello storage multi-stream e altro ancora.

Secondo PC Perspective, le nuove TLC V-NAND saranno il punto focale dei nuovi dischi Samsung 850 EVO, che dovrebbero avere ottime prestazioni, al livello dell'850 Pro, ma con un prezzo più basso, come già successo con l'840 EVO.



Non vediamo l'ora di scoprire come farà Samsung a sfruttare al meglio queste memorie TLC 3D V-NAND, e speriamo di poter mettere le mani su uno di questi dischi per testarne resistenza e prestazioni.


Source: PC Perspective.