Samsung hat angekündigt, dass das Unternehmen mit der Produktion des ersten 3D V-NAND Flash-Speichers unter der Verwendung von 32 vertikal gestapelten Cell-Schichten begonnen hat. Der neue V-NAND ist ein wichtiger Schritt vom früheren 24-Layer-V-NAND und bietet deutlich bessere Effizienz bei der Produktion.

Der neue 32-Layer-3D-V-NAND wird etwa die doppelte Ausdauer beim Schreiben bieten und 20 Prozent weniger Strom als planarer (2D) MLC NAND verbrauchen. Zusätzlich zur Ankündigung der Massenproduktion von 32-Layer-V-NAND-Flash-Speichers hat Smasung auch eine Reihe von Premium-SSDs auf Basis des 2nd Generation V-NAND mit 128GB, 256GB, 512GB und 1TB Kapazität angekündigt. Leider hat Samsung noch kaum Details zu diesen Drives preisgegeben. Dennoch wird geplant einen großen Teil des Marktes mit dem neuen V-NAND-SSD-Lineup abzudecken.

Im Laufe dieses Jahres will Samsung zudem noch weitere Premium-3D-V-NAND-SSDs anbieten, die auf dem gleichen 2nd-Gen-V-NAND basieren allerdings noch höhere Verlässlichkeit und höhere Dichte bieten.

Nach einer aktuellen Studie von Gartner hat der globale Markt ein Wachstum von 75,5 auf 79,7 Milliarden US-Dollar im Jahr 2017 zu erwarten, was definitiv auch für Samsung eine gute Nachricht ist.

Quelle: Samsung.com.