Im Rahmen des Keynote-Events auf der Flash Memory Summit 2013 in Santa Clara, Kalifornien hat Samsung sein neues und weltweit erstes Enterprise-Solid-State-Drive auf Basis von 3D V-NAND-Technologie präsentiert. Konzipiert für die Benutzung in Enterprise-Servern und Data-Center-Szenarios, bietet die neue V-NAND-SSD einen signifikanten Anstieg bei sequentieller und zufälliger Schreibgeschwindigkeit und beeindruckende Fortschritte in der Herstellung.
Die neue V-NAND-SSD von Samsung wird in zwei Versionen erhältlich sein. So kann der Käufer zwischen einer Version mit 960GB und einem Modell mit 480GB wählen. Auch wenn noch keine genauen Performance-Angaben verbreitet wurden, verspricht der Hersteller 20 Prozent bessere Performance bei 40 Prozent besserer Effizienz. Der beste Teil ist, das Samsungs 3D V-NAND-Technologie die Komplikationen mit Scaling jenseits der 10-Nanometer-Klasse umgehen kann.
Die V-NAND-SSD mit 960GB wird, mit mehr als 20 Prozent höheren sequentiellen und zufälligen Schreibraten, die höchste Performance bieten. Sie benutzt 64 Dies MLC 3D V-NAND-Flash-Chips mit einer Kapazität von jeweils 128Gb (Gigabits) und einen 6Gbps-SATA-Interface-Controller. Nach Angaben von Samsung wird die neue V-NAND-SSD 35K Program-Erase-Cycles schaffen und im 2,5-Zoll-7mm-Formfaktor angeboten werden
Außerdem bringe die neue 3D V-NAND-Technologie gut als zwei Mal mehr Produktivität während der Herstellung als es bei 20nm-Class-Planar-NAND-Flash der Fall war. Dies ist durch "zylinderförmige 3D-Charge-Trap-Flash-Zellen-Struktur und Vertical-Interconnect-Process-Technology, durch die alle 24 Schichten und die 3D-Cell-Array miteinander verbunden werden können" möglich. Samsung steckt eine Menge Vertrauen in die neue 3D V-NAND-Technologie und vergleicht diese sogar mit einem "Digital Big Bang" in der globalen IT-Industrie.
Samsung sagte außerdem, dass die Produktion der neuen V-NAND-SSDs bereits Anfang des Monats begonnen habe und sie weitere V-NAND-Produkte der nächsten Generationen veröffentlichen würden, um die diversen Erwartungen der Nutzer an NAND-Flash-basierten Speicher erfüllen zu können. Demnach dürfen wir uns höchstwahrscheinlich in naher Zukunft auf Consumer-Modelle freuen.
Quelle: Samsung.com.
Die neue V-NAND-SSD von Samsung wird in zwei Versionen erhältlich sein. So kann der Käufer zwischen einer Version mit 960GB und einem Modell mit 480GB wählen. Auch wenn noch keine genauen Performance-Angaben verbreitet wurden, verspricht der Hersteller 20 Prozent bessere Performance bei 40 Prozent besserer Effizienz. Der beste Teil ist, das Samsungs 3D V-NAND-Technologie die Komplikationen mit Scaling jenseits der 10-Nanometer-Klasse umgehen kann.
Die V-NAND-SSD mit 960GB wird, mit mehr als 20 Prozent höheren sequentiellen und zufälligen Schreibraten, die höchste Performance bieten. Sie benutzt 64 Dies MLC 3D V-NAND-Flash-Chips mit einer Kapazität von jeweils 128Gb (Gigabits) und einen 6Gbps-SATA-Interface-Controller. Nach Angaben von Samsung wird die neue V-NAND-SSD 35K Program-Erase-Cycles schaffen und im 2,5-Zoll-7mm-Formfaktor angeboten werden
Außerdem bringe die neue 3D V-NAND-Technologie gut als zwei Mal mehr Produktivität während der Herstellung als es bei 20nm-Class-Planar-NAND-Flash der Fall war. Dies ist durch "zylinderförmige 3D-Charge-Trap-Flash-Zellen-Struktur und Vertical-Interconnect-Process-Technology, durch die alle 24 Schichten und die 3D-Cell-Array miteinander verbunden werden können" möglich. Samsung steckt eine Menge Vertrauen in die neue 3D V-NAND-Technologie und vergleicht diese sogar mit einem "Digital Big Bang" in der globalen IT-Industrie.
Samsung sagte außerdem, dass die Produktion der neuen V-NAND-SSDs bereits Anfang des Monats begonnen habe und sie weitere V-NAND-Produkte der nächsten Generationen veröffentlichen würden, um die diversen Erwartungen der Nutzer an NAND-Flash-basierten Speicher erfüllen zu können. Demnach dürfen wir uns höchstwahrscheinlich in naher Zukunft auf Consumer-Modelle freuen.
Quelle: Samsung.com.
News by Luca Rocchi and Marc Büchel - German Translation by Paul Görnhardt - Italian Translation by Francesco Daghini
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