Das Crossbar Tech-Startup aus Kalifornien hat einen neuen Speicher-Chip angekündigt, der bis zu 1TB auf einer Fläche von der Größe einer Briefmarke speichert. Nicht nur die Kapazität soll größer sein, aufgrund des einzigartigen 3D Stackings wird der neue RRAM, wie Crossbar ihn nennt, auch signifikant schneller und langlebiger als NAND sein.

Crossbar kündigte den neuen "resistive RAM" (RRAM) in einer Pressemitteilung an und bemerkte, dass der neue Speicher definitiv den 60 Milliarden US-Dollar-schweren Flash-Speicher-Markt beeinflussen wird und einige neue Möglichkeiten für vor allem mobile elektronische Geräte bringt. Die Firma sagte zudem, dass sie bereits funktionierenden Speicher "in einer kommerziellen Fabrik" herstellen konnte, was die Einfachheit und Herstellbarkeit des Crossbar Resistive RAM belegt.

Die Haupt-Features und Qualitäten des neuen Resistive RAM sind zunächst die höchste Kapazität auf dem Markt mit 1TB auf einem einzigen Chip und mehreren Terabytes mit "3D Stacking", niedrigerer Stromverbrauch, höchste Performance mit bis zu 20 Mal schnelleren Schreibraten als bei NAND, einfachste SoC-Integration mit einfachem Stacking auf Logic im Standard-CMOS und advanced Nodes sowie letztlich beeindruckender Verlässlichkeit mit bis zu zehn Mal höhere Lebenszeit als NAND, womit der Speicher nah an die DRAM-Lebensdauer kommt.

Crossbar veröffentlichte auch eine Tabelle, die den RRAM in vielen Punkten mit Standard-MLC-NAND vergleicht und verkündete, dass RRAM-Speicher-Zellen aus "drei einfachen Schichten" bestehen. Letztere sind genauer eine "nicht-metallische Boden-Elektrode, ein amorphes Silikon Wechsel-Medium und einer metallischen Decken-Elektrode."

Crossbar's RRAM ist für die Nutzung in Consumer-Electronics, Smartphones und Tablets, Enterprise-Storage, SSDs und Cloud Computing gedacht und soll die Technologien an SoC-Hersteller lizensieren.







Quelle: PCPro.co.uk, Crossbar-inc.com.