Vor kurzem gab Samsung die Eröffnung einer neuen Fabrik bekannt, in derjenigen Speicherchips mit 20 und 29 Nanometer Strukturbreite gefertigt werden. Elpida kontert diese Ankündigung postwendend und gibt an, dass man vor der Auslieferung von 4 Gbit grossen Speicherchips steht, die im 25-Nanometer-Prozess hergestellt werden.

Mit der Auslieferung der ersten sowie mit der Massenproduktion wolle man noch dieses Jahr starten. Die neuen Chips sollen den Vorteil bieten, dass diese eine um 45 Prozent gesteigerte Produktivität aufweisen sollen. Ferner soll auch die Energieeffizienz steigen. In diesem Zusammenhang wird eine Verbesserung von 25 Prozent angegeben. Im Standby soll die Steigerung sogar bei 30 bis 50 Prozent liegen.

Betreibt man die Module mt einer Spannung von 1.5 Volt, dann soll DDR3-1866 möglich sein. Bei einer Betriebsspannung von 1.35 Volt sei DDR3-1600 möglich.

Quelle: Elpida