Während des Flash Memory Summit 2016 im US-amerikanischen Santa Clara hat Toshiba eine neue NAND-Technologie angekündigt, die SSDs mit 100TB+ ermöglichen soll. Dazu kommen QLC NAND und TSV zum Einsatz.

Zu Anfang dieses Jahres hat Toshiba bekanntgegeben, mit Western Digital eine Partnerschaft zur Produktion des Next-Gen 3D NAND eingegangen zu sein. Der sogenannte BiCS3 verwendet TSV (Through-Silicon Via)-Technologie. Hier werden vertikale Elektroverbindungen direkt durch einen Silizium-Wafer oder -Die geleitet.

Der BiCS3 NAND hat 64 sich überlagernde Schichten und soll zuerst mit 256Gbit und später mit 512Gbit erscheinen. Zusammen mit QLC 4-bit 3D NAND erweitert dies die Anzahl an Ladungszuständen von noch acht mit TLC auf sechzehn mit QLC. Dadurch wird der Prozess auch insgesamt komplizierter und unzuverlässiger. Ähnliches trat bereits mit TLC NAND auf.

Mit den TSV-Stacks und 512Gbit QLC 3D NAND, die Toshiba gezeigt hat, stehen uns 2TB pro Package bevor. Dementsprechend erwarten uns einseitige M.2-SSDs mit Speicherkapazitäten von 4TB oder normale 2.5-Zoll-SSDs mit bis zu 32TB.
Aktuell bietet Samsung eine 2.5-Zoll-Solid State Drive mit 15.36TB an. Seagate hingegen hat bereits den Prototyp einer 60TB 3.5-Zoll-SSD vorgeführt.

SSDs dieser Art mit QLC 3D NAND würden natürlich eine deutlich bessere Performance als normale HDDs ermöglichen. Durch den hohen Preis des NAND-Flash-Speichers ist das Euro-pro-Terabyte-Verhältnis allerdings noch immer ziemlich hoch. Hier entwickeln sich womöglich in Zukunft andere Tendenzen.

Momentan zielt Toshiba mit der Massenproduktion des BiCS-Flash mit TSV auf 100TB-SSDs ab. Kapazitäten von 1TB pro Package wird zu nächstem Jahr erwartet, während tatsächliche Produkte gegen Ende 2017 erscheinen könnten.





Quelle: Computerbase.de.