Samsung hat verkündet, nun mit der Massenproduktion des neuen 256GB Embedded Flash-Speichers im UFS 2.0-Format zu beginnen. Hierbei wird Samsungs hauseigener 3D V-NAND verwendet. Das Produkt richtet sich an Mobilgeräte des oberen Leistungsendes.

Die meisten Smartphone- und Mobile-Hersteller wechseln auf den UFS 2.0-Standard und nun hat Samsung bekanntgegeben, die Massenproduktion des neuen 256GB UFS 2.0 Embedded-Flash-Speichers begonnen zu haben. Dieser basiert auf 3D V-NAND.

Dank des 3D V-NAND-Speichers hat Samsung die Kapazität erfolgreich von 128GB auf 256GB angehoben. Außerdem werden so sequenzielle Übertragungsraten von bis zu 850MB/s ermöglicht, während die zufällige Lese/Schreibleistung bei 45'000 und 40'000 IOPS liegt. Diese Zahlen sind bereits einen ganzen Zacken höher als in aktuellen Smartphone-Flaggschiffen. Dementsprechend haben wir Hoffnung auf eine beeindruckende nächste Mobil-Generation mit der neuen Technologie.

Mit solchen Geschwindigkeiten kann der neue 256GB UFS 2.0-Flash Memory Ultra HD-Videos wiedergeben und erleichtert Multi-Tasking auf mobilen Geräten. So hat Samsung beispielsweise erwähnt, dass auf einen einzelnen 256GB UFS-Chip um die 47 Full HD-Filme passen.


Ebenfalls Dank der fortgeschrittenen Speichertechnologie fallen die neuen UFS-Chips deutlich kompakter aus und stellen den Smartphone-Designern so mehr Platz zur Verfügung.

Weiterhin plant Samsung seine Premiumschiene mit 3D V-NAND Flash auszubauen, es ist also lediglich eine Frage der Zeit, bis 256GB UFS-Chips als interner Speicher in Smartphones verbaut werden.



Quelle: Samsung.com.