Samsung hat mitgeteilt mit der Massenproduktion des ersten 256 Gigabit (Gb) 3D Vertical NAND (V-NAND) Flash-Speichers auf dem Markt begonnen zu haben. Dieser basiert auf 48 Schichten von 3-Bit-Multi-Level-Cell-Arrays (MLC) und soll in Solid State Drives (SSDs) verbaut werden.

Der neue Samsung 256Gb 3D V-NAND Flash-Speicher war zuvor lediglich mit 128Gb NAND Flash-Chips verfügbar. Mit 32GB (256Gb) Speicherkapazität auf einem einzigen Die, sollte sich die Kapazität der Samsung-SSDs nun theoretisch verdoppeln können.

Samsung führte seinen 2nd Generation V-NAND (32-Layer MLC V-NAND) bereits im August letzten Jahres ein. Mit der neuen, dritten Generation pusht Samsung also weiterhin im 3D-Memory-Markt.

Für die neuen V-NAND-Chips wird die gleiche 3D Charge Trap Flash (CTF) Structure genutzt, welche Zellen vertikal in 48 Schichten miteinander um 1,8 Milliarden Channel-Holes verbindet, wobei jeder einzelne Chip über 85,3 Milliarden Zellen verfügt. Jede Zelle kann 3 Bit Daten speichern, was also zu 256 Milliarden Bit beziehungsweise 256Gb auf einem recht kleinen Chip führt.

Samsung teilt mit, dass die neuen 48-layer 3-bit MLC 256Gb V-NAND Chips auch eine Reduzierung des Stromverbrauches von etwa 30 Prozent im Vergleich zu den früheren 32-Layer 128Gb Chips möglich machen.

Weiterhin wurde mitgeteilt, dass das Unternehmen plant weiterhin die High-Density-SSD-Verkäufe für die Märkte Enterprise und Data Center Storage mit den neuen Interfaces PCIe NVMe und SAS auszubauen. 3rd Generation V-NAND soll noch im Rest dieses Jahres erscheinen und das Segment der Terabyte-Level-SSDs erweitern.



Quelle: Samsung.com.