Während einer speziellen Präsentation während des heutigen Tages haben Intel und Micron eine neue Speicher-Technologie mit dem Namen 3D XPoint vorgestellt. Es wird von der ersten neuen Memory Technology seid NAND gesprochen, wobei letztere Technik bereits aus dem Jahr 1989 stammt. Mit dem neuen Speicher soll neben höherer Geschwindigkeit vor allem eine gesteigerte Dichte im Vergleich mit NAND erreicht werden können.

Als sogenannter "3D cross-point" Speicher (3D XPoint) wird die neue Speichertechnologie von Intel-VP Rob Cooke und Microns President Rob Adams als hoch performanter, sehr dichter, non-volatiler Speicher bezeichnet, der deutlich schneller und widerstandsfähiger sein soll als derzeit verfügbarer Flash-Speicher.

Im Vergleich mit DRAM hat 3D XPoint acht- bis zehnmal höhere Dichte, denn der vorläufige 3D XPoint Memory Chip bietet 128GB Kapazität und soll zukünftig durch das Stapeln mehrerer Schichten sogar noch in der Kapazität gesteigert werden können. Das Ganze erinnert also auf den ersten Blick an den High Bandwidth Memory von Hynix. Allerdings sind die Anwendungsfelder unterschiedlich.

Was 3D XPoint besonders macht, ist die Tatsache, dass es sich um non-volatilen Speicher handelt. Daten sind im Fall eines Stromverlustes also nicht verloren, wodurch sich diese Technologie auch für permanente Speicherlösungen eignet. Zwar werden dabei keine Geschwindigkeiten im Bereich von DRAM erreicht, doch die Performance ist deutlich höher als aktueller NAND-Flash-Speicher. Intel und Micron beschreiben 3D XPoint daher als eine Art Zwischenlösung beider Technologien.




Das wesentliche Design von 3D XPoint Memory umfasst einen Stapel individuell erreichbarer Zellen, die miteinander via Cross Point Array Structure verbunden sind. Dies ermöglicht hohe Performance und hoch dichte Bits. Das Zugreifen, Lesen und Beschreiben von Speicherzellen ermöglicht eine Anpassung der Spannung an jedem einzelnen Sektor. Fast Switching Cell erlaubt es der Zelle dabei sehr schnell zwischen States zu switchen, als jede derzeit am Markt verfügbare non-volatile Speichertechnologie.

Intel und Micron versprechen große Performance-Steigerungen beim High-Performance-Computing und wollen noch dieses Jahr in der Lage sein 3D XPoint Speicher mit 128Gb / 16GB Chips in Samples verteilen zu können.





Quelle: Intel.com.