In Anbetracht der Tatsache, dass Firmen wie Intel und Samsung bereits jetzt in der Lage sind 14nm-FinFET-Transistoren herzustellen, dürfte der Titel dieser News zunächst wenig beeindruckend klingen. Dennoch halten wir es für sehr wichtig, dass der Wettbewerb aufrechterhalten wird. Dementsprechend ist es eine gute Nachricht, dass auch GlobalFoundries Fortschritte bei der Produktion macht.

Für lange Zeit arbeitete GlobalFoundries mit 28- und sogar 32nm-Herstellungsprozess. Inzwischen hat die Firma allerdings eine strategische Zusammenarbeit mit Samsung begonnen um 14nm FinFET SoCs auf Masse für High-End-Smartphones produzieren zu können. Abgesehen davon, scheint GlobalFoundries selbst allerdings auch Fortschritte zu machen. So wurde nun die neue "fully-depleted silicon-on-insulator" FD-SOI Manufacturing Process Technology präsentiert. Bei dieser Herstellung kann GlobalFoundries Chips mit hoher Leistung für weniger Geld produzieren.

Ein Artikel bei KitGuru deutet darauf hin, dass die folgenden vier Version des Herstellungsprozesses bei GlobalFoundries verfügbar sind:

• 22FD-ulp: empfohlen für günstige SoCs, bietet 70 Prozent Stromeinsparung gegenüber 28nm
• 22FD-uhp: empfohlen für Networking-Anwendungen
• 22FD-ull: empfohlen für "Internet of Things" Devices und bietet niedrige leakage
• 22FD-rfa: empfohlen für LTE-Modems oder MIMO-Wi-Fi-Modems

Es kann davon ausgegangen werden, dass mit der Risikoproduktion in der zweiten Hälfte 2015 begonnen wird, während die Massenprodukton von 22FDX ein Jahr darauf gestartet werden soll. Aktuell arbeitet GlobalFoundries mit einigen großen Firmen wie ARM, Imagination Technologies, Freescale, IBS, STMicroelectronics und VeriSilicon zusammen.