Samsung hat mitgeteilt die Massenproduktion mit dem ersten 8 Gigabit (Gb) GDDR5 DRAM erreicht zu haben, welcher auf dem 20nm-Herstellungsprozess basiert.


Konzipiert für die Verwendung in Verbindung mit PC-Grafikkarten, beim Supercomputing und bei On-Board-Grafik oder in Spielkonsolen bietet der DRAM höhere Bandbreiten, für die Berechnung von Grafik in Data-Streams.

"Wir gehen davon aus, dass unser 8Gb GDDR5 den OEMs die bestmögliche Speicherlösung für Spielekonsolen und die Verwendung in Notebook-PCs darstellen wird", sagte Joo Sun Choi, Executive Vice President of Memory Sales and Marketing bei Samsung Electronics. "Durch die Erweiterung unserer Produkte auf 20nm-Basis wie dem neuen GDDR5, werden wir die Nachfrage auf dem globalen Markt treffen und die Führung auf dem Premium-Speicher-Markt übernehmen können."

Samsung merkte an, dass 8Gb GDDR5 DRAM beeindruckende Bandwidth bieten wird und die Kombination von acht 8Gb bereits 8GB RAM in die neuesten Konsolen bringen wird. Der neue Samsung 8Gb GDDR5 DRAM bietet Input/Output (I/O) Data Rates von 8 Gigbits pro Sekunde (Gbps) pro Pin, was vier Mal schneller ist als DDR3 DRAM. Jeder einzelne Chip kann außerdem Daten mit der 32-Bit I/O Rate verarbeiten. 2GB des neuen Speichers sollen mit nur zwei Chips umgesetzt werden können und dann 64GB Graphical-Images pro Sekunde verarbeiten.

Dank des 20nm 8Gb GDDR5 DRAM konnte Samsung sein Lineup an 8Gb DRAM Solutions vervollständigen und bietet nun Produkte für die Bereiche Server, PC, Mobile und Graphics Memory. Weitere Speicherdichten mit 4Gb, 6Gb, 8Gb und mehr sollen zukünftig folgen.



Quelle: SamsungTomorrow.com.