Während bereits angekündigt wurde, dass 3D V-NAND TLC Flash Memory (Drei Bit pro Zelle) derzeit in Arbeit sei, hielt sich Samsung mit der großen Ankündigung bislang noch zurück. Im Rahmen der Flash Memory Summit, die diese Woche stattfand, enthüllte das Unternehmen nun allerdings einige Details zum kommenden TLC 3D V-NAND.


Nach den Folien, die auf PC Perspective aufgetaucht sind hat der TLC 3D V-NAND die gleiche 32-Schichten-Struktur wie der MLC V-NAND, der aktuell in der kürzlich veröffentlichten Samsung 850 Pro SSD arbeitet, allerdings mit einem zusätzlichen Bit je Zelle. Auch wenn die Folien keine konkreten Details zur Dichte, Performance und vor allem Lebensdauer preisgeben, wissen wir zumindest etwas mehr Latenz, Multi-Stream Storage Intelligence und Theoretical Double Density.

Nach PC Perspective wird der neue TLC V-NAND das Herzstück der kommenden Samsung 850 EVO sein, die eine ähnliche Performance verspricht wie die 850 Pro allerdings ähnlich wie der Vorgänger 840 EVO etwas günstiger sein wird als die Pro-Variante.




Wir freuen uns definitiv auf Samsungs Implementation des neuen TLC 3D V-NAND und wir hoffen bald in einem unserer Tests darauf zurückkommen zu können.

Quelle: PC Perspective.