Micron Technology vient d'annoncer que sa mémoire Triple-Level Cell (TLC) NAND Flash faite à l'aide du processus de fabrication 16nm devrait être prête cette année tandis que les SSD basés sur cette même mémoire TLC NAND Flash pourraient voir le jour l'année prochaine.


Actuellement la plupart des SSD sont basés sur de la mémoire Multi-Level Cell (MLC) NAND et la mémoire TLC NAND est avant tout principalement utilisée pour les cartes mémoire, les lecteurs audio, les clés USB et les divers autres dispositifs du même type. La mémoire MLC est en général plus durable et fiable que la mémoire TLC NAND, avec 3'000-10'000 de cycles d'effacement et écriture contre 1'000 pour la mémoire TLC NAND, c’est pourquoi Micros a travaillé dur ces derniers temps pour créer de la mémoire TLC NAND plus durable et fiable.

Lors d'une conférence téléphonique avec des investisseurs et analystes financiers, Mark Adams, President chez Micron a déclaré :

Citation :

Bien que Micron n'ait pas promis que nous verrons des SSD basés sur de la mémoire TLC NAND Flash tout prochainement, c'est déjà une bonne chose que nous verrons les premières puces cette année étant donné que cela pourrait accélérer la fabrication des premiers SSD. Toshiba et SanDisk ont d'ores et déjà tous deux annoncés qu'ils offriront des SSD embarquant de la mémoire TLC d'ici la fin de cette année.




Source: via KitGuru.net.