Vor wenigen Minuten berichteten wir bereits, dass es Neuigkeiten von Micron/Curcial gibt und nun haben wir eine weitere Meldung in der Pipeline, bei der es sich um denselben Hersteller dreht. Anlässlich der CES 2013 präsentierte Crucial seine ersten DDR4 DRAM Speichermodule, die auf Chips basieren, die im 30-Nanometer-Fertigungsprozess hergestellt wurden.
Dabei handelte es sich schliesslich um 4-Gigabit-DDR4-Chips von denen insgesamt acht Stück auf einem PCB platziert wurden. Hinzu kommt, das Cruial derzeit über das kompletteste Portfolio an DDR4-basierten Speichermodulen verfügt. So hat der Hersteller bereits RDIMMs, LRDIMMs, SODIMMs und UDIMMs im Angebot, wobei es von allen Modulen Standard- sowie auch ECC-Ausführungen gibt.
Die neuen Crucial DDR4 DRAM Speicherriegel, werden mit 20 Prozent tieferen Spannungen gespiesen als das bei deren Vorgängern der Fall war. Effektiv werden bei DDR4-Modulen 1.2 Volt Spannung zum Einsatz kommen. Zieht man aktuelle DDR3-Module zum Vergleich heran, dann liegen die Versorgungsspannungen in diesem Fall bei 1.35 Volt, 1.50 Volt oder sogar 1.65 Volt. Ferner sind die neuen Module in der Lage mit Taktraten umzugehen, die doppelt so hoch sein können, wie das bei DDR3-Riegeln der Fall ist.
Citation :
The initial readiness of our DDR4 product portfolio represents a big step forward in terms of power and performance improvements for our customers,” said Robert Feurle, vice president for Micron's DRAM Marketing. “A variety of speed and density options enable leading edge modules for the most demanding applications.
Quelle:
Crucial