Intel und Micron gaben bekannt, dass sie dabei sind 50nm MLC NANDs mit einer Die-Dichte von 16 Gigabit zu testen. Aktuelle SLC (single-level cell) NANDs weisen eine Die-Dichte von 4 Gigabit auf, somit wäre mit diesem Verfahren eine Vervierfachung der Speicherkapazität von Flash-Speichern möglich.