Forscher des Mssachusetts Insitue of Technology sollen eine Technik entwickelt haben, anhand derjenigen das High-Speed-E-Beam-Lithographie-Verfahren (Hochgeschwindigkeits Elekronenstrahllithographie) Muster mit neun Nanometer Breite ermöglicht. Angaben des MIT zur Folge seien wesntlich kleiner Strukturen möglich als bisher angenommen wurde.

Bis anhin war es möglich mittels des E-Beam-Lithographie-Verfahrens Strukturen mit einer Auflösung von 25 Nanometer herzustellen. Diese Entdeckung könnte die E-Beam-Lithographie wiederum interessant für Halbleiter-Hersteller machen. Dabei konkurriert dieses Verfahren mit der EUV-Lithographie (Extreme Ultraviolet Lithography) von derjenigen angenommen wurde, dass dies ab 22 Nanometer Strukturbreite eingesetzt würde. Aktuell stellt sich in diesem Zusammenhang aber heraus, dass die führenden Halbleiter-Hersteller immer noch mit substanziellen mit Problemen zu kämpfen haben.

Um sich ein grundlegendes Verständnis für das E-Beam-Lithographie-Verfahren anzueignen, empfehlen wir den folgenden Wikipedia-Artikel zu: Electron beam lithography

Quelle: EETimes