Bauteile aus Silizium-Germanium auf herkömmlichen Wafern
In den USA haben Forscher der technischen Universität des Bundesstaates Georgia in Zusammenarbeit mit IBM im Labor einen neuen Rekord für die Schaltgeschwindigkeit von Silizium-Transistoren aufgestellt. Bei extrem tiefen Temperaturen erreichten sie 500 GHz.
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Die Experimente fanden im "Georgia Electronic Design Center" (GEDC) unter der Leitung von Professor John D. Cressler statt. Seinem Team ist es gelungen, einen bipolaren Transistor mit knapp über 500 GHz zu betreiben. Gekühlt wurde die Anordnung dabei mit flüssigem Helium auf 4,5 Kelvin (minus 268,5 Grad Celsius). Bei Raumtemperatur kamen die Forscher immerhin noch auf 350 GHz für stabile Schaltvorgänge.
Quelle: golem.de - Neuer Transistor-Rekord: 500 GHz bei 4,5 Kelvin
In den USA haben Forscher der technischen Universität des Bundesstaates Georgia in Zusammenarbeit mit IBM im Labor einen neuen Rekord für die Schaltgeschwindigkeit von Silizium-Transistoren aufgestellt. Bei extrem tiefen Temperaturen erreichten sie 500 GHz.
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Die Experimente fanden im "Georgia Electronic Design Center" (GEDC) unter der Leitung von Professor John D. Cressler statt. Seinem Team ist es gelungen, einen bipolaren Transistor mit knapp über 500 GHz zu betreiben. Gekühlt wurde die Anordnung dabei mit flüssigem Helium auf 4,5 Kelvin (minus 268,5 Grad Celsius). Bei Raumtemperatur kamen die Forscher immerhin noch auf 350 GHz für stabile Schaltvorgänge.
Quelle: golem.de - Neuer Transistor-Rekord: 500 GHz bei 4,5 Kelvin
News by Luca Rocchi and Marc Büchel - German Translation by Paul Görnhardt - Italian Translation by Francesco Daghini
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