FET (Feldeffekttransistor) und deren Weiterentwicklung

Publié par Marc Büchel le 06.03.05
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Nanotubes
Das SET ist durch die Reihenschaltung von zwei Tunnelkontakten und die kleinen Strukturen ein sehr hochohmiges Bauteil. Würde man die Tunnelflächen breiter machen, kann man den Widerstand senken. Im Idealfall hat man dann nur noch eine Tunnelbarriere, welche durch die Gatterspannung moduliert werden kann. Die metallischen Source/Drain-Kontakte (z.B. aus Carbon Nanotubes) gewährleisten auch ein schnelleres Schalten. Carbon Nanotubes sind zylinderförmig angeordnete, hexagonale Monoschichten aus Kohlenstoffatomen. Ihre metallische Leitfähigkeit übertrifft die von Metallen bei weitem. Sie können auch eine tausendfach höhere Stromstärke aushalten, als gleich dicker Kupferdraht.

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Carbon Nanotube


Mit Nanotubes kann man Transistoren herstellen, welche Eigenschaften haben, die weit über die eines Siliziumtranistors hinaus gehen.

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Prinzip des surrounding-gate Nanotube-Trasistors



Schlusswort

Natürlich stellt sich die Frage, wie weit man heutige Strukturen noch verkleinern kann, respektive wo die Grenzen liegen. Die kleinst möglichen Einheiten, die noch Strom transportieren können, sind einzelne Moleküle. Kleinere Leiter kann man nicht herstellen. Anders gesagt wird es vermutlich Piktoelektronik und erst recht Femtoelektronik nicht geben. Diese Grössen liegen knapp über und weit unter den Massen eines Atomkerns. Hochenergiephysiker suchen jedoch nach noch kleineren Teilchen als Atome, die vielleicht für die Informationsspeicherung und Verarbeitung eingesetzt werden können. Die Eigenschaften der Quantenmechanik können auch genutzt werden, um neuartige Algorithmen zu formulieren, die den heutigen überlegen sind. Zeiten in denen Probleme mit neuen Rechenkonzepten wie Quantencomputer gelöst werden können, sind jedoch noch in weiter Ferne.


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