Samsung 840 Evo 1 Terabyte Review

Published by Marc Büchel on 30.07.13
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Samsung ha deciso di aggiornare la linea 840, rilasciando la versione Evo. Questa nuova unità dispone di caratteristiche molto interessanti e uniche. Grazie a TurboWrite, finalmente Samsung torna competitiva per quanto riguarda le prestazioni della scrittura sequenziale, l'unico vero problema della serie 840. Non solo le prestazioni vengono migliorate ma anche il prezzo si abbassa ulteriormente. Se siete curiosi di questo nuovo prodotto, seguiteci nelle prossime pagine in quanto ci sono delle sorprese molto interessanti.





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Specifiche / Bundle


Modello 840 Evo 120 Gigabyte 840 Evo 250 Gigabyte 840 Evo 500 Gigabyte 840 Evo 750 Gigabyte 840 Evo 1000 Gigabyte
Capacità 120 GB 250 GB 500 GB 750 GB 512 GB
Form Factor 2.5'', 7mm 2.5'', 7mm 2.5'', 7mm 2.5'', 7mm 2.5'', 9.3 7mm
Memoria
  • TLC NAND
  • 19nm
  • ~1'200 P/E-cycles
  • TLC NAND
  • 19nm
  • ~1'200 P/E-cycles
  • TLC NAND
  • 19nm
  • ~1'200 P/E-cycles
  • TLC NAND
  • 19nm
  • ~1'200 P/E-cycles
  • TLC NAND
  • 19nm
  • ~1'200 P/E-cycles
Tecnologia Samsung K90KGY8S7M-CCK0 Samsung K90KGY8S7M-CCK0 Samsung K90KGY8S7M-CCK0 Samsung K90KGY8S7M-CCK0 Samsung K90KGY8S7M-CCK0
Throughput
  • 540 MB/s sequential read
  • 410 MB/s sequential write
  • 94'000 IOPS 4K random read
  • 35'000 IOPS 4K random write
  • 540 MB/s sequential read
  • 520 MB/s sequential write
  • 97'000 IOPS 4K random read
  • 66 '000 IOPS 4K random write
  • 540 MB/s sequential read
  • 520 MB/s sequential write
  • 98'000 IOPS 4K random read
  • 90 '000 IOPS 4K random write
  • 540 MB/s sequential read
  • 520 MB/s sequential write
  • 98'000 IOPS 4K random read
  • 90 '000 IOPS 4K random write
  • 540 MB/s sequential read
  • 520 MB/s sequential write
  • 98'000 IOPS 4K random read
  • 90 '000 IOPS 4K random write
Tempo di accesso < 0.1 ms < 0.1 ms < 0.1 ms < 0.1 ms < 0.1 ms
Rumore Nessun rumore Nessun rumore Nessun rumore Nessun rumore Nessun rumore
Garanzia 3 Anni 3 Anni 3 Anni 3 Anni 3 Anni
Prezzo





Uno dei problemi più grossi del Samsung 840 (non Pro) riguardava la scrittura sequenziale, appena 130 Megabytes al secondo. Sotto questo aspetto Samsung non era affatto competitiva, ricordiamoci che in questo settore ci sono ottimi prodotti come per esempio il Crucial M500. Samsung 840 Evo gode anche di un numero maggiore di IOPS rispetto al vecchio modello.

A questo punto c'è da chiedersi come abbia fatto Samsung a triplicare la velocità della scrittura sequenziale da una generazione all'altra. Questa magia si chiama TurboWrite. Questa nuova tecnologia si basa su un algoritmo che è stato implementato nel nuovo firmware del 840 Evo che utilizza un controller MEX. TurboWrite può sfruttare una piccola parte della DRAM presente sul PCB del SSD e emulare una memoria flash SLC NAND. In altre parole, Samsung ha portato il concetto di DRAM caching nel controller del SSD ottenendo così un boost di prestazioni e risolvendo il problema della scrittura sequenziale.

Oltre alle migliorie lato controller, Samsung ha lavorato sul software Magician. Analizzeremo anche il software e vi mostreremo che cosa è in grado di fare, se volete una anteprima possiamo già dirvi che è ben strutturato e facile da utilizzare.


Pagina 1 - Introduzione / Specifiche Pagina 8 - Scrittura sequenziale ops
Pagina 2 - Impressioni Pagina 9 - Lettura sequenziale ops
Pagina 3 - Come testiamo? Pagina 10 - Scrittura casuale ops
Pagina 4 - Scrittura sequenziale KByte/s Pagina 11 - Lettura casuale ops
Pagina 5 - Lettura sequenziale KByte/s Pagina 12 - Atto / Crystal Disk Mark
Pagina 6 - Scrittura casuale KByte/s Pagina 13 - Samsung Magician e moda RAPID
Pagina 7 - Letture casuali KByte/s Pagina 14 - Conclusioni




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