OCZ Vertex 450 256 GB Review

Published by Marc Büchel on 23.05.13
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Con Vertex 450, OCZ lancia ufficialmente il suo secondo SSD con NAND 20 nanometri. OCZ ha cominciato ad utilizzare questi chip da 20nm con Vertex 3.20 e adesso anche Vertex 4 utilizzerà gli stessi chip. Vertex 450 256 Gigabyte potrebbe essere un SSD davvero interessante, soprattutto per il rapporto qualità prezzo. Siamo molto curiosi di vedere come si comporterà durante i nostri test.





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Specifiche / Bundle


Modello OCZ Vertex 460 120 Gigabyte OCZ Vertex 460 240 Gigabyte OCZ Vertex 460 480 Gigabyte
Capacità 120 Gigabyte 240 Gigabyte 480 Gigabyte
Form Factor 2.5'', 7mm 2.5'', 7mm 2.5'', 7mm
Memoria 19nm Toshiba MLC NAND, 3'000 P/E-cycles 19nm Toshiba MLC NAND, 3'000 P/E-cycles 19nm Toshiba MLC NAND, 3'000 P/E-cycles
Tecnologia      
Throughput 530 MB/s sequential read
420 MB/s sequential write
80'000 IOPS 4K random read
90'000 IOPS 4K random write
540 MB/s sequential read
525 MB/s sequential write
85'000 IOPS 4K random read
90'000 IOPS 4K random write
545 MB/s sequential read
525 MB/s sequential write
95'000 IOPS 4K random read
90'000 IOPS 4K random write
Tempo di accesso < 0.1 ms < 0.1 ms < 0.1 ms
MTBF 2'000'000 ore 2'000'000 ore 2'000'000 ore
Rumore Nessun rumore Nessun rumore Nessun rumore
Garanzia 3 Anni 3 Anni 3 Anni






Vertex 460 utilizza un controller Barefoot 3 M10, sviluppato dalla stessa OCZ. Come viene illustrato nella slide, il controller si basa su architettura ARM. La velocità del clock è stata abbassata per ottenere dei consumi di energia migliori. Questa unità dispone di un sistema di criptazione AES 256 Bit con ECC engine. Vertex 460 è equipaggiato con DRAM cache che aiuta ad ottenere prestazioni migliori. Per l'interfaccia NAND vengono utilizzati otto canali ONFI/Toggle.

Come per il Vertex 3.20, OCZ ha cambiato il modello di NAND flash rispetto al Vertex 4. Il 450 utilizza NAND da 20 nanometri mentre il Vertex4 utilizzava NAND da 25 nanometri. Quando si cambia il processo produttivo si ottengono vantaggi e al tempo stesso anche svantaggi. La produzione costa di meno all'azienda ma l'unità subisce un calo di prestazioni per quanto riguarda i cicli P/E. La maggior parte delle unità 25nm con NAND MLC raggiungono 5000 o 3000 cicli P/E. Intel 29-F128C08CFABB 20nm - gli stessi che troverete su 450 - raggiungono 3000 cicli. In conclusione, questi chip da 20nm offrono la stessa durata dei chip che potete trovare su un Kingston HyperX SSD 3k.


Pagina 1 - Introduzione / Specifiche Pagina 7 - Letture casuali KByte/s
Pagina 2 - Impressioni Pagina 8 - Scrittura sequenziale ops
Pagina 3 - Come testiamo? Pagina 9 - Lettura sequenziale ops
Pagina 4 - Scrittura sequenziale KByte/s Pagina 10 - Scrittura casuale ops
Pagina 5 - Lettura sequenziale KByte/s Pagina 11 - Lettura casuale ops
Pagina 6 - Scrittura casuale KByte/s Pagina 12 - Conclusioni



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