Overclocking Mémoire Extrême sur Llano

Publié par Christian Ney le 28.02.12
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Configuration de test

Carte Mère Gigabyte GA-A75-UD4H
Processeur AMD A8-3870K Black Edition
Mémoire vive GeIL Evo Corsa GOC316GB2400C11QC
G.Skill Ares F3-2133C9Q-16GAB
G.Skill RipjawsZ F3-19200CL9Q-16GBZHD
Pâte thermique GELID Solutions GC-Extreme
Godet LN2 CPU Godet LN2 Otterauge Rev 4a
Thermomètre Voltcraft K102 + 2 Sondes K
Godet LN2 Mémoire Godet Expérimental de Christian Ney
Carte graphique 3dfx Voodoo3 2000 PCI
Alimentation Seasonic X-Series 750 Watts
Disque OCZ Vertex 2
Refroidissement Azote Liquide







Nous avons présenté la configuration ainsi qu'un guide sur l'isolation de la carte mère and l'article précédent:
  • AMD Llano Extreme Overclocking on Gigabyte A75-UD4H


  • Oui je sais, mon ''pot'' mémoire pour Azote Liquide ne paie pas de mine et l'isolation du système a été fait à l'arrache, qu'importe tant que ça marche.

    Quelques mots sur les puces mémoires Hynix, ces puces sont capables d'atteindre de très hautes fréquences avec des timings relâchés (pas comme les fameuses puces Elpida Hypers qui montaient elles aussi très bien en fréquences mais avec des timings serrés) spécialement sur les plateformes AMD comme Bulldozer et Llano. Ici vous avez un très bon exemple de quoi elles sont capables, Placid a poussé son kit mémoire value certifié à 666 MHz à pas moins de 1456.1 MHz soit un overclocking de plus de 100 % en air sans dissipateur.

    Ici nous utiliserons un Llano A8-3870K couplé avec différents kits mémoires embarquants des puces Hynix H9C CFR. Le multiplicateur mémoire a été fixé à 9.33x ce qui implique le la valeur maximal théorique que l'on pourrait atteindre avec notre configuration poussé dans ses derniers retranchements serait des 200 MHz HTT x 9.33 soit 1866 MHz de fréquence mémoire (DDR3-3732). Comme il est bien sûr impossible de réaliser de telles fréquences mémoires dans des conditions normales, j'ai donc utilisé de l'azote liquide pour refroidir à -197°C le processeur ainsi que la mémoire vive. La tension appliquée à la mémoire vive était comprise entre 1.9v et 2.0v. 


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