Samsung PM863 240 Gigabyte SSD Review

Published by Marc Büchel on 10.02.16
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Il nuovo PM863 di Samsung appartiene alla nuova generazione di prodotti enterprise dell'azienda. Questa unità utilizza TLC 3D-V-NAND ed è specificatamente studiato per quei sistemi che richiedono un grosso lavoro di lettura. Rispetto al precedente modello, la nuova unità offre un maggiore spazio di archiviazione e una durata più elevata. In conclusione, siamo molto curiosi di analizzare a fondo anche questa unità.





Specifiche / Bundle


Modello PM863 240 GB PM863 480 GB PM863 960 GB PM863 1.92 TB PM863 3.84 TB
Capacità 240 GB 480 GB 960 GB 1.92 TB 3.84 TB
Form Factor 2.5'' 2.5'' 2.5'' 2.5'' 2.5''
Controller Samsung Mercury Samsung Mercury Samsung Mercury Samsung Mercury Samsung Mercury
Memoria
  • TLC NAND
  • 3D V-NAND 32 Layer
  • TLC NAND
  • 3D V-NAND 32 Layer
  • TLC NAND
  • 3D V-NAND 32 Layer
  • TLC NAND
  • 3D V-NAND 32 Layer
  • TLC NAND
  • 3D V-NAND 32 Layer
Throughput
  • 520 MB/s sequential read
  • 245 MB/s sequential write
  • 99'000 IOPS 4K random read
  • 10 '000 IOPS 4K random write
  • 525 MB/s sequential read
  • 460 MB/s sequential write
  • 99'000 IOPS 4K random read
  • 17 '000 IOPS 4K random write
  • 520 MB/s sequential read
  • 475 MB/s sequential write
  • 99'000 IOPS 4K random read
  • 18 '000 IOPS 4K random write
  • 510 MB/s sequential read
  • 475 MB/s sequential write
  • 99'000 IOPS 4K random read
  • 18 '000 IOPS 4K random write
  • 540 MB/s sequential read
  • 480 MB/s sequential write
  • 99'000 IOPS 4K random read
  • 18 '000 IOPS 4K random write
QOS 4KB, QD32 (99.99%)
  • 0.6 ms read
  • 5.0 ms write
  • 0.6 ms read
  • 7.0 ms write
 
  • 0.6 ms read
  • 5.0 ms write
 
Latency
  • 55 us sequential read
  • 45 us sequential write
  • 115 us random read
  • 55 us random write
  • 55 us sequential read
  • 45 us sequential write
  • 115 us random read
  • 55 us random write
  • 55 us sequential read
  • 45 us sequential write
  • 115 us random read
  • 55 us random write
  • 55 us sequential read
  • 45 us sequential write
  • 115 us random read
  • 55 us random write
 
Consumo
  • 2.7 Watt write
  • 3.8 Watt write
  • 3.8 Watt write
  • 3.8 Watt write
  • 4.1 Watt write
Durata

350 TBW

700 TBW 1400 TBW 2800 TBW 5600 TBW
Garanzia 3 Anni 3 Anni 3 Anni 3 Anni 3 Anni
Prezzo





Alcuni mesi fa Samsung ha annunciato due nuovi SSD studiati per un utilizzo nei data center. I due modelli prendono il nome di PM863 e SM863, il primo è raccomandato per letture intense come webserver o servizi di streaming mentre il secondo è più indicato per database OLTP. In questa recensione andremo ad analizzare il PM863 da 240GB ma prima di iniziare vogliamo mostrarvi tutte le principali caratteristiche. L'unità dispone di un sistema avanzato di controllo composto da un sistema ECC abbinato ad una protezione End-to-end-data in grado di localizzare possibili errori in diretta. In aggiunta sono presenti numerose protezioni legate ad eventuali sbalzi di corrente o perdita di dati. In caso di problemi, i condensatori al tantalum disposti sul PCB sono in grado di fornire abbastanza energia alla cache DRAM così da memorizzare gli ultimi dati sulla memoria flash NAND. Samsung PM863 offre anche una protezione in caso di surriscaldamento così da assicurare sempre un corretto svolgimento delle operazioni.

All'interno dell'unità sono presenti memorie TLC V-NAND flash 3-bit prodotte da Samsung stessa. Per essere precisi, Samsung utilizza 3D-V-NAND da 32 livelli con densità di 128 Gbit. A conti fatti, su questa unità, troviamo 256GB di spazio su 240 utilizzabile il che significa che l'azienda attua un 7% di overprovisioning. Samsung utilizza il nuovo controller Mercury, il successore dell'ormai famoso MDX utilizzato sulla serie 845DC Evo. Rispetto al controller MDX, il nuovo controller è in grado di gestire un maggiore quantitativo di memoria NAND flash.

Pagina 1 - Introduzione Pagina 7 - Lettura Casuale KByte/s
Pagina 2 - Bundle Pagina 8 - Scrittura Casuale IOPS
Pagina 3 - Metodologia di test Pagina 9 - Lettura Casuale IOPS
Pagina 4 - Scrittura Sequenziale KByte/s Pagina 10 - QD1/4/8/16/32 Performance
Pagina 5 - Lettura Sequenziale KByte/s Pagina 11 - Conclusioni
Pagina 6 - Scrittura Casuale Kbyte/s  




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