Spezifikationen / Technische Details

Hergestellt wird der Chip mit 45 Nanometer breiten Strukturen im sogenannten "Immersion Lithography"-Verfahren. Dabei wird eine Lichtquelle mit einer Wellenlänger von 193 Nanometer verwendet. Im Unterschied zu Herstellungsprozessen vergangener Tage komm zwischen dem Wafer und der Linse nicht hochreine Luft sondern Wasser zum Einsatz. Durch die Tatsache, dass Wasser einen anderen Brechungsindex als Luft hat, sind im Endeffekt noch kleinere Strukturen durch eine höhere Abbildungspräzision möglich.
Ferner setzt man seit dem K8 auf SOI, Silicon on Insulator.

Auf dem unterhalb abgebildeten DIE-Plot kann man sehr gut den auf 6 MByte verdreifachten L3-Cache erkennen, der mehr oder weniger den kompletten rechten Teil des Bildes einnimmt. Links davon befinden sich die vier Kerne, die jeweils auf 512 KByte L2-Cache sowie 64 + 64 KByte L1 Cache zurückgreifen können. Speziell am L3-Cache ist die sogennaten "Smart-Fetch" Technik. Diese erlaubt es dem L3-Cache Daten direkt aus dem L2- sowie dem L1-Cache zu beziehen. Weiter können hierdurch Zugriffe auf den L1- respektive L2-Cache reduziert und im Endeffekt L1- sowie L2-Cache schlafen gelegt werden um Energie zu sparen.

Eine weitere wichtige Neuerung des Phenom II gegenüber dem Phenom stellen die überarbeiteten Stromsparfunktionen dar. Beim Phenom der ersten Generation hatte man bei aktiviertem Cool and Quiet sowie C1E mit Performance-Einbussen von zwischen 10 bis 15 Prozent zu rechnen, wobei die Energie-Einsparungen zirka 25 Prozent betrugen. Beim Phenom II verschenkt man nun nur noch ein bis zwei Prozent Leistung, spart aber immer noch zirka 25 Prozent Energie. Somit kann man mittlerweile empfehlen Cool and Quiet sowie C1E einzuschalten, das aktuelle Desktop-Rechner die meiste Zeit über idle betrieben werden und keine Last auf der CPU ist.